随着电子信息技术的不断发展，生产所需要的半导体元件的体积越来越小，集成密度越来越高，对光刻机的光刻精度提出了更高的要求，所以对光刻机中的运动控制平台的精度要求越来越严苛，低精度光刻运动控制系统逐渐被高精度的光刻运动控制系统取代。

光刻的原理就是在硅片表面覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶，再用光线（一般是紫外光、深紫外光、极紫外光）通过掩膜照射在硅片表面，对硅片表面的抗腐蚀材料实施变剂量曝光，显影后在抗腐蚀层表面形成所要求的浮雕轮廓，在光刻胶上直接曝光写出所设计的任意图形，从而把设计图形直接转移到掩模上。

之后用特定溶剂洗去光刻胶，就实现了电路图从掩膜到硅片的转移。

光刻完成后对没有光刻胶保护的硅片部分进行刻蚀，最后洗去多余的光刻胶，就完成了半导体器件在硅片表面的建构过程。

光刻机是芯片制造中的核心设备，涉及各种高端先进技术，是半导体制造中技术含量最高的设备。

光刻机主要由投影物镜、光源、以及工作台三个核心系统构成。

光刻机构成程序复杂，制造过程需要巨大的工程量。而光刻机的核心部件之一就高精度运动控制平台。

工作台作为步进扫描投影光刻机的核心子系统，由硅片台与掩模台组成，负责完成步进运动、曝光扫描、对准扫描、上下硅片及掩模等功能，其运动控制性能的优劣直接决定了光刻机最终的分辨率、套刻精度和生产率等性能指标。

掩模台和工件台的同步伺服性能将直接影响整机技术指标。掩模台和工件台需要在耦合动力学、复杂内外部干扰条件下兼顾高动态和超精密运动是其核心控制难题。研究和发展面向集成电路光刻的超精密运动台控制技术对于实现高端光刻机国产化具有重要意义。

三英精控高精度运动控制平台定位精度已达到纳米级，性能稳定。