光刻机属于高精密设备，涉及到光学、控制、机械和物理等多个领域，用于硅片制造。在光掩膜板玻璃上用不透光金属（铬）薄膜形成硅片各介质层上的布局图形，光刻的过程即为将不同掩膜板上的不同图形刻印在硅片的相应介质层上。每层掩膜板的图形印刻步骤可概括如下：首先将掩膜板置于紫外光源和涂覆了光刻胶的硅片之间，该步骤通过物镜投影曝光；随后，硅片上没有被不透光的图形遮挡的涂覆了光刻胶的区域因曝光而产生化学变化；最后将曝光的区域在显影溶剂中除去。

在上述步骤中最应注意的性能参数为线宽和套刻精度，而这两个参数主要受光刻机投影物镜的影响，投影物镜的定位精度是线宽的三分之一到五分之一，故投影物镜是光刻机的重要部件，其发展决定了光刻技术发展。

随着投影物镜的发展，其分辨率逐渐提高，视场逐渐加大，镜片数也逐渐增多，随之系统越来越复杂。并且提高物镜的分辨率的途径之一为增大投影物镜数值孔径，从而提高物镜像质。随着投影物镜系统的分辨率提高，物镜像质的要求急剧提升，为满足光刻系统要求的像质，光刻机投影物镜的像质需采用微位移结 构完成，通常微位移机构的调节精度需达到纳米级。

纳米位移电容传感器在光刻机中的应用

纳米位移电容传感器具有结构简单、非接触、频响宽等特点，被认为是最具优越性的微位移传感技术，正好满足光刻机投影物镜对微位移机构的要求。

高端仪器光刻机之前一直依赖进口，国内对相关技术的研究较少。随着中美贸易战的打响，美国禁止向中国出售光刻机设备，为解决此种“卡脖子”问题，我国开始研发具有自主知识产权的光刻机。纳米位移电容传感器作为光刻机的核心零部件之一，其研发也同样重要，也必须自主研发，解决“卡脖子”问题。

三英精控经过多年的研发，已拥有了具有自主知识产权的纳米位移电容传感器的产品。有不同测头形状及不同技术参数的产品可供选择:

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